Re: Приготовление полноценных вуферов.
Матвей,не знаю как Фёдор,но мне это неинтересно,видимо поздновато на АЗ иглу подсел.С удовольствием послушал бы мнение знающих людей о моей системе и может дельный совет получил бы.А так,пиписьками меряться не хочется.
Re: Приготовление полноценных вуферов.
Цитата:
Сообщение от
Matvey498
Такой дин хорош для оформления "пассивный излучатель".Теоретически..
Почему именно пассивный? И чем принципиально отличается пассивный излучатель от активного, за исключением того, что не имеет "электрической" части?
Re: Приготовление полноценных вуферов.
пассивный излучатель заточен под высокую добротность дина чем фазик - и все дела...
Вложений: 5
Re: Приготовление полноценных вуферов.
Цитата:
Сообщение от
Tim635
очему именно пассивный? И чем принципиально отличается пассивный излучатель от активного, за исключением того, что не имеет "электрической" части?
ПИ лучше всего работает при добротности основного дина 0,34---0,37.Позволю себе напомнить,что сейчас я описываю процесс "ПРИГОТОВЛЕНИЕ ПОЛНОЦЕННЫХ ВУФЕРОВ 8" "Вложение 316404Вложение 316406Вложение 316410Вложение 316412Вложение 316414Вложение 316416Вложение 316422Вложение 316424Показан процесс расклеивания дина.Расстворителем обильно смачиваются места склейки,острым ножом отделяется воротник ицентрирующая шайба.Поводки отпаиваются,полярность помечается. Вес подвижной системы--75гр,,,,,,,,,а рассчётный вес--56.Есть повод подумать... О приготовлении ПИ расскажу ,но позже...
Re: Приготовление полноценных вуферов.
Цитата:
Сообщение от
Matvey498
ПИ лучше всего работает при добротности основного дина 0,34---0,37
Ссылку ознакомиться с такими точными данными можно?!
Единственная просьба... Если там просто написано , что ПИ лучше всего работает при добротности 0,34-0,37 БЕЗ ВСЯКОГО ТЕОРЕТИЧЕСКОГО ОБОСНОВАНИЯ, то лучше найдите ссыль с обоснованием...
Re: Приготовление полноценных вуферов.
Цитата:
Сообщение от
Папа Карло
Единственная просьба... Если там просто написано , что ПИ лучше всего работает при добротности 0,34-0,37 БЕЗ ВСЯКОГО ТЕОРЕТИЧЕСКОГО ОБОСНОВАНИЯ, то лучше найдите ссыль с обоснованием...
Это рекомендации инженеров JBL /Теоретических обоснований ,кажется нет.По моему- в разделе "помощ" "Speakershop"
Re: Приготовление полноценных вуферов.
Цитата:
Сообщение от
Matvey498
Это рекомендации инженеров JBL
Скорее всего, там рассматривался частный случай. А так как ПИ - это разновидность ФИ, то понятно, что чем меньше добротность, тем меньше будет расчётный корпус ПИ. Подробнее об этом в книге Иоффе и Лизункова "Бытовые АС"
Re: Приготовление полноценных вуферов.
Цитата:
Сообщение от
Tim635
И чем принципиально отличается пассивный излучатель от активного, за исключением того, что не имеет "электрической" части?
В качестве "ПИ" можно использовать и"живой" дин,лишь бы площадь его излучения была больше площади излучения "драйвера".Можно утяжелить подвижку,можно включить RC-цепочку в цепь катушки,можно применить оба метода.
---------- Сообщение добавлено 14.12.2012 в 14:46 ----------
Цитата:
Сообщение от
Папа Карло
пассивный излучатель заточен под высокую добротность дина чем фазик - и все дела...
"ПИ"-это редчайший случай использования КРАЙНЕВЫСОКОДОБРОТНОГО излучателя в области НЧ.
Вложений: 4
Re: Приготовление полноценных вуферов.
На фото показаны 4 просверленные отверстия в корзине,которые затем заклеены латунной сеткой для предотвращения попадания посторонних предметов.
Вложение 318510Вложение 318512Вложение 318514Вложение 318518Вложение 318520Вложение 318522Вложение 318524Никаких "аудиофильски зелёных" деталей! И !что интересно- без единого гвоэдя!Керн магнитной системы временно заклеен скотчем.
Re: Приготовление полноценных вуферов.
Цитата:
Сообщение от
Matvey498
Керн магнитной системы временно заклеен скотчем.
И это удивительно! Я думал, что владеешь методом сверловки отверстий без попадания металлической стружки в магнитный зазор...;)