Вложений: 1
Сопротивление канала MOSFET
Друзья мои, прошу помощи, состояние у меня "ничавонепонимаю".
Вот две схемы коммутации нагрузки с помощью MOSFET, с общим истоком и истоковый повторитель:
Вложение 163843
Ток на шунте R =1 А в обоих случаях.
Совершенно непонятно падение напряжения на транзисторе, равное в зависимости от типа 2.4....3В!!!!!
Как такое может быть, ведь сопротивление канала десятые доли Ома, при таком токе на транзисторе ничего падать не должно.
Полевики пробовал разные, заведомо исправные : IRF 150, CEP 603AL, 40NO3P, везде падение напряжения на канале.
Ес-но приходят две мысли - накосячил в схеме и неисправные детали. Я бы сам так ответил на этот вопрос. Но перепроверил себя уже десяток раз, да и транзисторы работают как надо - замкнул ключ, пошёл ток, разомкнул - отключился. Если вместо полевика поставить биполяр, то усё как надо, падение напряжения на транзисторе 0,6...0,7В.
Подключитесь плз. а то я себя сейчас полным нубом чувствую:blush2:, потом эту тему можно будет грохнуть.
Re: Сопротивление канала MOSFET
Да там что-то с напряжением отсечки связано http://www.cqham.ru/fet26.htm
Re: Сопротивление канала MOSFET
Цитата:
Сообщение от
Rover
Совершенно непонятно падение напряжения на транзисторе, равное в зависимости от типа 2.4....3В!!!!!
при каком напряжении питания?
схема для ключа должна быть та, которая слева.
Re: Сопротивление канала MOSFET
Цитата:
Сообщение от
FFZ
при каком напряжении питания?
схема для ключа должна быть та, которая слева.
Пробовал и то, то
Напряжение питания на схеме есть- АКБ (12.6 В)
Пробовал и то, то.
При истоковом повторителе при напряжении на затворе = напряжению на стоке=12В, напряжение на истоке тоже должно быть =12В, а там 9....10 В!!!!!
Цитата:
Да там что-то с напряжением отсечки связано
При R между стоком и затвором =10 Ом мы это напряжение даааалеко позади оставили.
Re: Сопротивление канала MOSFET
смотри ВАХ полевика - сопротивление канала (открытие) зависит от напряжения на затворе, возможно он не полностью открывается. бери логический мосфет - там +5 на затворе уже полностью открыт ;)
Re: Сопротивление канала MOSFET
На затворе такое же напряжение как и на стоке, полюбас должОн полностью открываться. Странно всё это....
Re: Сопротивление канала MOSFET
смотри параметр Rds/Vgs=10V, наиболее близко к 12В, в отличие от минимального сопротивления перехода при Vgs 16(20, 30) и далее на ВАХ какой ток можно протолкать при 12В на затворе. или бери полевик с маркировкой IRL, например IRL3713, IRLB8748, IRLB8743
если не морчиться, есть интелектуальные ключи ;)
Re: Сопротивление канала MOSFET
Может и не прав. У Вас чему равно R? Может при таком токе через нагрузку и при таком напряжении питания полевик имеет такое внутреннее сопротивление? Я посмотрел на выходную характеристику VDS/ID
С уважением Михаил.
Вложений: 1
Re: Сопротивление канала MOSFET
Цитата:
Сообщение от
A!exT
смотри параметр Rds/Vgs=10V, наиболее близко к 12В, в отличие от минимального сопротивления перехода при Vgs 16(20, 30) и далее на ВАХ какой ток можно протолкать при 12В на затворе. или бери полевик с маркировкой IRL, например IRL3713, IRLB8748, IRLB8743
если не морчиться, есть интелектуальные ключи ;)
Увы, приходится как всегда делать не из того, что надо, а из того что есть. Что наковырял из UPS, БП ATX, то и юзаю.
Ключ меня не сильно интересует, больше истоковый повторитель. Реальная схема такая:
Вложение 164067
Re: Сопротивление канала MOSFET
Цитата:
Сообщение от
Rover
Увы, приходится как всегда делать не из того, что надо, а из того что есть. Что наковырял из UPS, БП ATX, то и юзаю.
Ключ меня не сильно интересует, больше истоковый повторитель. Реальная схема такая:
Вложение 164067
Схема корявая.
Истоковый повторитель будет иметь падение напряжения 2-3 вольта.
Тебе нужно использовать или вольтодобавку на затвор до 18-20 вольт, или ключ другой проводимости.
Re: Сопротивление канала MOSFET
Цитата:
Сообщение от
Garmin
Тебе нужно использовать или вольтодобавку на затвор до 18-20 вольт
Да, но в этом случае стабилизации не будет :(
Re: Сопротивление канала MOSFET
Цитата:
Сообщение от
Rover
Да, но в этом случае стабилизации не будет
Если эту вольтодобавку застабилизировать, то стабилизация появляется;)
Можно даже обратную связь добавить на затвор через конденсатор, но это уже для особо тяжелых случаев со входным напряжением и прочими артефактами...
Re: Сопротивление канала MOSFET
Цитата:
Сообщение от
Rover
Да, но в этом случае стабилизации не будет :(
Тема была про сопротивление включённого ключа. Где слово "стабилизация"?
Для стабилизации нужен усилитель обратной связи. И вольтодобавка тоже.
PS Лучше возьми готовую схему из учебника. Например Хоровиц и Хилл "Искусство схемотехники"
Вложений: 2
Re: Сопротивление канала MOSFET
Спасибо всем откликнувшемся. Я понял, в чём была моя ошибка. Сработала зашоренность мозгов, а так же схемы:
Вложение 164681Вложение 164683
по которым у меня в голове включился пунктик что эквивалентом n-MOSFET является биполяр n-p-n!! Ну, а дальше понятно- неверный предпосыл привёл к неверным действиям.:black_eye:
Кстати, Фолловер со второй схемы я собирал, и там электронный дросель на IRF150 включён как истоковый повторитель. Логичнее было бы его делать на p-MOSFET, однако Чуффоли влепил
n-MOSFET. Как вы думаете, почему?
Re: Сопротивление канала MOSFET
Цитата:
Сообщение от
Rover
Как вы думаете, почему?
Очевидно, потому, что ему очень уж нужно было иметь плюс на массе?
Re: Сопротивление канала MOSFET
Цитата:
Сообщение от
Rover
Логичнее было бы его делать на p-MOSFET, однако Чуффоли влепил
n-MOSFET. Как вы думаете, почему?
Потому что итальянцы все извращенцы))) отчасти в хорошем звуковом смысле...
А так видно , что этот электронный дроссель еще и с плавным запуском;)
Мне так больше интересно зачем ему было нужно делать массу на плюсе питания.
Re: Сопротивление канала MOSFET
очевидно что все три мосфета в схеме одинаковые ;)
Re: Сопротивление канала MOSFET
Цитата:
Сообщение от
A!exT
очевидно что все три мосфета в схеме одинаковые
Тогда бы и вместо биполярника в источник тока мог поставить еще один IRF150 для идейной завершенности схемы:mosking:
Re: Сопротивление канала MOSFET
биполяр для термокомпенсации, он и два полевика на общем радиаторе должны быть.
Re: Сопротивление канала MOSFET
Вы что, не знаете, как работает фоллофер Чуффоли?
Транзистор возле выпрямителя - стабилизатор питания.
Транзистор внизу - источник тока.
Транзистор на входе - перераспределяет ток между собой и нагрузкой.
Биполяр нужен для задания тока в источнике. Греть его не надо.
Нагрузка подключена к плюсу, чтобы не вмешивать конденсатор питания в звуковую цепь.
Насчёт типа полевиков - найдите хороший аналог IRFP150 в другом типе проводимости :derisive:
Так что всё просто. Чуффоли молодец!
Постройте на этих транзисторах четвёртый зен и забудьте о выборе усилителя!
Re: Сопротивление канала MOSFET
Теперь понял зачем плюсовая масса!
Вложений: 1
Re: Сопротивление канала MOSFET
Цитата:
Сообщение от
A!exT
очевидно что все три мосфета в схеме одинаковые ;)
Ну у Чуффоли есть схема фолловера и с разными мосфетами, тоже не по "правилам" включённым.
Вложение 164923
Re: Сопротивление канала MOSFET
Цитата:
Сообщение от
Rover
Друзья мои, прошу помощи, состояние у меня "ничавонепонимаю".
Вот две схемы коммутации нагрузки с помощью MOSFET, с общим истоком и истоковый повторитель:
Вложение 163843
Ток на шунте R =1 А в обоих случаях.
Совершенно непонятно падение напряжения на транзисторе, равное в зависимости от типа 2.4....3В!!!!!
Как такое может быть, ведь сопротивление канала десятые доли Ома, при таком токе на транзисторе ничего падать не должно.
Полевики пробовал разные, заведомо исправные : IRF 150, CEP 603AL, 40NO3P, везде падение напряжения на канале.
Ес-но приходят две мысли - накосячил в схеме и неисправные детали. Я бы сам так ответил на этот вопрос. Но перепроверил себя уже десяток раз, да и транзисторы работают как надо - замкнул ключ, пошёл ток, разомкнул - отключился. Если вместо полевика поставить биполяр, то усё как надо, падение напряжения на транзисторе 0,6...0,7В.
Подключитесь плз. а то я себя сейчас полным нубом чувствую:blush2:, потом эту тему можно будет грохнуть.
Справочные данные на 2N7000 -RDSon drain-source on-state resistance VGS = 10 V; ID = 500 mA 2.8 5 Ω VGS = 4.5 V; ID = 75 mA 3.8 5.3 Ω
Re: Сопротивление канала MOSFET
Цитата:
Сообщение от
tolikvoron6@yandex.ru
Справочные данные на 2N7000 -RDSon drain-source on-state resistance VGS = 10 V; ID = 500 mA 2.8 5 Ω VGS = 4.5 V; ID = 75 mA 3.8 5.3 Ω
Ух, и раскопали могильничек... теме почти 10 лет...