Настраивал по приложенной схеме. На прогретом усилителе выставил вначале 0.4мВ, потом опустил до 0-0.1 мВ. Показания чуть менялись, в процессе наблюдения.
Я где то ошибся?
Настраивал по приложенной схеме. На прогретом усилителе выставил вначале 0.4мВ, потом опустил до 0-0.1 мВ. Показания чуть менялись, в процессе наблюдения.
Я где то ошибся?
и правильно сделал, т.к. как минимум абсолютно бессмысленно на сабовом усилителе выстраивать ток покоя как на усилителе для широкополосного тракта на фронт или тыл.
и правильно сделал, т.к. как минимум абсолютно бессмысленно на сабовом усилителе выстраивать ток покоя как на усилителе для широкополосного тракта на фронт или тыл.
Я так же посчитал. Меня сейчас один момент смутил, я производил настройку на крайней(ближней к БП) паре транзисторов. Правильно ли это с точки зрения различий в параметрах транзисторов? Стоит ли провести перепроверку остальных симметрично расположенных пар?
+1!
Согласен, группы же транзисторов скорее всего не подбирались, т.ч. разбег будет, но это в данном случае не критично, посему накой себе мозг делать стремлением к идеалистической модели .
Не совсем понял вопрос. Один тип транзисторов вынесен на одну сторону, второй на противоположную. Какие с какой стороны по памяти не скажу.
Соответственно и замер производился между эмиттерами двух транзисторов, находящихся ближе к БП.
Социальные закладки